具有渐进式传导调制的忆阻器通过调节相邻两个神经元之间的连接，可以同时存储和处理信息，类似于生物突触的功能。然而，开发一种高稳定性、高均匀性和低功耗的忆阻器器件是神经形态计算应用中的一个挑战。本工作以多层石墨烯薄膜为底电极，制备了Ta/Ta2O5/AlN/石墨烯结构的双端忆阻器。该器件在直流电扫描电压下表现出稳定的电特性。更重要的是，这种忆阻器能够充分模拟生物突触的功能和可塑性，包括突触时间依赖性可塑性和兴奋性突触后电流等。通过振幅为0.8V、宽度为50 ns的脉冲，写入事件的能量值可低至37飞焦耳，进一步证明了低功耗。根据电流-电压曲线的拟合结果，将导电机理归结为陷阱辅助隧穿。Ta/Ta2O5/AlN/石墨烯忆阻器为实现人工突触神经形态计算提供了一种稳定、低功耗的候选材料
