为了在机器学习中有效地实现人工神经网络，必须开发人工电子突触。模拟生物突触功能的忆阻器因其在微电子芯片中的潜在应用而引起了极大的兴趣。本文首次以W/ZnO/FTO忆阻器器件为例，提出了唯象模型中的一个新函数，即不应周期函数原理。该装置通过施加电压脉冲获得的两种衰减速率，可以忠实地模拟难治性动作电位的复极化和超极化。此外，通过施加两种不同的脉冲序列，模拟了绝对不应期和相对不应期。高分辨透射电镜观察清楚地表明，在“导通”状态下，W扩散到ZnO薄膜中，并在器件中W和FTO电极之间形成W导电突起区。实验证明的不应期功能代表了生物突触功能的神经形态模拟的重大进展。
