二维（2D）过渡金属二卤族化合物因其独特的电学和光学性质而引起了近年来的广泛关注。然而，由于1T金属相的存在，传统方法制备的二硫化钼纳米片的电学性能较差。提出了一种可溶液处理的用作高性能忆阻器功能层的纯2H半导体相二硫化钼纳米片。所得到的基于Ag/MoS2/Pt结构的忆阻器具有优异的电阻开关性能，包括高耐久性和多级保留性。此外，SET操作的功耗和编程电流可分别低至7.35 nW和100nA。有趣的是，研究表明，Ag/MoS2/Pt器件的电阻可以在较宽的范围内（脉冲数>500）进行双向调制，且近似呈线性趋势。对手写数据的模式识别准确率可达到90.37%。本文为实现纯2H-MoS2的制备和在生物神经计算中的应用提供了一种简单、实用的方法。
