忆阻器被设计用来模拟大脑的存储和计算功能，从而突破冯·诺伊曼框架。然而，传统的忆阻器内导电灯丝的形成和断裂是不稳定的，这使得实际模拟生物突触的功能变得困难。这个问题已成为阻碍忆阻器应用的一个主要因素。铁电忆阻器克服了传统忆阻器的缺点，因为其电阻的变化取决于铁电薄膜的极化方向。本文提出了一种能够实现电阻开关特性的Au/Hf0.5Zr0.5O2/p+-Si铁电忆阻器。特别是，该装置实现了多级存储的稳定特性，具有应用于多级存储的潜力。通过极化，所提出的忆阻器的电阻可以通过翻转铁电域逐渐调制。此外，可以在双向连续可逆性中获得多个阻力状态，这类似于突触权重的变化。此外，所提出的忆阻器能够成功地模拟生物突触功能，如长期抑郁、长期增强、成对脉冲促进和尖峰时间依赖的可塑性。因此，它构成了冯·诺伊曼框架的突破的一个有前途的候选者。
