生物电阻器作为可穿戴和可植入电子器件的人工生物突触，在神经形态研究中受到越来越多的关注。到目前为止，生物电阻器已经取得了一系列神经方面的突出成就，如长期增强和长期抑制，峰值时间依赖性的可塑性，以及成对的脉冲促进在神经仿生学领域进一步发展了忆阻器。然而,传统的忆阻器由于导电丝的生长位置和成核动力学存在问题。在本研究中，一种新的杂化结构与设计HfO2/BSA:Au(纳米金掺杂的牛血清)以改善其性能biomemristor性能。Ag/HfO2/BSA:Au/Pt堆叠器件呈现具有可逆和优良的双极电阻开关特性。此外,该装置能够真实地模拟生物突触的凋亡过程。同样，在柔性聚二甲基硅氧烷上构造相同的结构用于检测弯曲下生物突触功能表现的基质条件。最后，该忆阻单元可以完全溶解在去离子溶液中。混合型生物电阻为提高生物电阻率开辟了一条新的途径生物电阻的可靠性是建立在整体器件性能基础上的BSA:Au，可以显著加快混合生物电阻的实际应用可穿戴、可降解或可植入电子系统的应用。
