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High-Performance and Multifunctional Devices Based Optoelectronic Memory with the 2D Narrow Bandgap Bi2Te2.7Se0.3

时间:2022-09-02   来源:    阅读:

随着小型化进程的加快电子器件、多功能光电器件这增加了集成之间的紧凑性设备引起了广泛关注。在这项工作中,我们准备了一个1.0 cm2二维Bi2Te2.7Se0.3 材料采用脉冲激光沉积技术,制造Pd/Bi2Te2.7Se0.3/SiO2/Si多功能光电设备。在光照下,电子在Bi2Te2.7Se0.3/SiO2 处分离和聚集界面导致降低较低的界面势垒。同时,窄带隙Bi2Te2.7Se0.3 中的电子感光材料很容易脱离枷锁,被困在Pd/Bi2Te2.7Se0.3 表面,导致单片器件的电阻开关。除此之外在界面处捕获电子使设备能够实现信息的长期存储。该设备可以执行逻辑和计算的单个功能(“OR”门),多级信息存储,光电检测和光信息解调。同时,该装置可以同时实现光电探测和解调,逻辑计算和记忆,和解调和存储功能,这将增加集成电路的紧凑性和降低功耗消耗。