顺应人工智能发展的大趋势，模拟人类的学习和思考行为成为研究热点。二阶忆阻器更类似于生物突触，是目前最有前途的类神经/类脑计算器件。然而，基于二维（2D）材料的二阶忆阻器却鲜有报道，内在的仿生物理学需要探索。在这项工作中，脉冲激光制备基于二维SnSe 薄膜的二阶忆阻器沉积技术。Au/SnSe/NSTO的连续可调电导结构是通过铁电SnSe 的逐渐切换极化来实现的层。实验结果表明生物突触功能包括尖峰时间依赖的可塑性、短期可塑性和长期可塑性，可以使用两端设备进行模拟。此外，刺激脉冲与纳秒脉冲持续时间被应用于该设备，以模拟人脑中的快速学习和长期记忆。观察到的忆阻行为主要是归因于耗尽层宽度和势垒高度的调制受到影响，在SnSe/NSTO 界面，通过 SnSe 的铁电极化反转材料。设备能耗低至66 fJ，符合预期应用于小型化、高密度、低功耗的神经形态计算。
