海量的数据要求非易失性存储器（NVM）技术具有大容量存储和快速计算速度。为了进一步解决存储容量和速度的瓶颈，基于二维（2D）层状材料的纳米忆阻器有望实现NVM。本研究提出了基于2D二氧化钛纳米片材料制备Ag/2D TiOx/Pt高性能忆阻器器件。该器件在直流（DC）模式下具有稳定的电特性，包括双极电阻开关（RS）行为、多电平忆阻模式和保持特性。此外，它还具有低开关电压（0.42V/−0.2V）、高ROFF/RON电阻比（105）、低开关功率（10−9 W/10−5W）和快速响应速度。更重要的是，该设备通过由不同顺应电流执行的多级存储来实现信息编码和解码。多个设备连接到实际电路，以实现具有信息处理和可编程特性的存储功能。这项工作为二维二氧化钛纳米片在NVM和信息处理中的应用提供了一个强大的平台。
